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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
58
左右 -76% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.8
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
33
读取速度,GB/s
4,241.0
15.6
写入速度,GB/s
1,950.7
11.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2757
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
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