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Kingston KVR533D2N4 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
比较
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
总分
Kingston KVR533D2N4 512MB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR533D2N4 512MB
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需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
75
左右 -226% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
1,672.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
4200
左右 4.05 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
23
读取速度,GB/s
1,943.5
17.6
写入速度,GB/s
1,672.1
13.4
内存带宽,mbps
4200
17000
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
301
3038
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
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Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Kingston 9905293-040.A00LF 1GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
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