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Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
比较
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
总分
Kingston KVR533D2N4 512MB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR533D2N4 512MB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
75
左右 -226% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.9
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.5
1,672.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
4200
左右 4.05 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
23
读取速度,GB/s
1,943.5
19.9
写入速度,GB/s
1,672.1
16.5
内存带宽,mbps
4200
17000
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
301
3832
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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