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Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB

Kingston KVR533D2N4 512MB vs Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB

总分
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Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

总分
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Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KVR533D2N4 512MB 需要考虑的原因
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    29 left arrow 75
    左右 -159% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.4 left arrow 1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.2 left arrow 1,672.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 4200
    左右 5.07 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    75 left arrow 29
  • 读取速度，GB/s
    1,943.5 left arrow 17.4
  • 写入速度，GB/s
    1,672.1 left arrow 14.2
  • 内存带宽，mbps
    4200 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    301 left arrow 3398

Kingston KVR533D2N4 512MB RAM的比较

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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
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内存RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
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内存RAM
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
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内存RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
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内存RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
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内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
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内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 9905630-048.A00G 16GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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