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Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
比较
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
总分
Kingston KVR533D2N4 512MB
总分
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR533D2N4 512MB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
75
左右 -142% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
1,672.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
4200
左右 5.07 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
31
读取速度,GB/s
1,943.5
17.1
写入速度,GB/s
1,672.1
12.9
内存带宽,mbps
4200
21300
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
301
3222
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
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G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
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Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
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