RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
比较
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
总分
Kingston KVR533D2N4 512MB
总分
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR533D2N4 512MB
报告一个错误
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
75
左右 -142% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
1,672.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
4200
左右 5.07 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
31
读取速度,GB/s
1,943.5
17.1
写入速度,GB/s
1,672.1
12.9
内存带宽,mbps
4200
21300
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
301
3222
Kingston KVR533D2N4 512MB RAM的比较
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link