RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
比较
Kingston KVR533D2N4 512MB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
总分
Kingston KVR533D2N4 512MB
总分
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR533D2N4 512MB
报告一个错误
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
75
左右 -150% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
1,672.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
4200
左右 4.05 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
30
读取速度,GB/s
1,943.5
17.0
写入速度,GB/s
1,672.1
13.3
内存带宽,mbps
4200
17000
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
301
3428
Kingston KVR533D2N4 512MB RAM的比较
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link