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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
比较
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
总分
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
44
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
22
读取速度,GB/s
12.3
17.5
写入速度,GB/s
7.8
11.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1977
2748
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
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