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Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
比较
Kingston KVR533D2N4 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
总分
Kingston KVR533D2N4 512MB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR533D2N4 512MB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
75
左右 -257% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
1,672.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
4200
左右 4.05 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
21
读取速度,GB/s
1,943.5
18.0
写入速度,GB/s
1,672.1
13.8
内存带宽,mbps
4200
17000
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
301
3034
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
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