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Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
比较
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Kingston 9905625-096.A00G 16GB
总分
Kingston KVR533D2N4 512MB
总分
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR533D2N4 512MB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
75
76
左右 1% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.3
1,672.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
4200
左右 4.05 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
76
读取速度,GB/s
1,943.5
13.0
写入速度,GB/s
1,672.1
6.3
内存带宽,mbps
4200
17000
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
301
1621
Kingston KVR533D2N4 512MB RAM的比较
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
UMAX Technology 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
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