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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
比较
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
总分
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
总分
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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需要考虑的原因
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
23
读取速度,GB/s
12.5
16.9
写入速度,GB/s
8.4
11.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2180
3034
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM的比较
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
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