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Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
比较
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Kingston XRMWRN-HYA 16GB
总分
Kingston KVR533D2N4 512MB
总分
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR533D2N4 512MB
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需要考虑的原因
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
75
左右 -127% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,672.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
4200
左右 4.57 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
33
读取速度,GB/s
1,943.5
15.9
写入速度,GB/s
1,672.1
12.0
内存带宽,mbps
4200
19200
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
301
2962
Kingston KVR533D2N4 512MB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
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