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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
20.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
87
左右 -383% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
18
读取速度,GB/s
3,155.6
20.8
写入速度,GB/s
870.4
15.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3402
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
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