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Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
比较
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
总分
Kingston KVR533D2N4 512MB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR533D2N4 512MB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
75
左右 -121% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
1,672.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
4200
左右 5.07 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
34
读取速度,GB/s
1,943.5
16.2
写入速度,GB/s
1,672.1
13.1
内存带宽,mbps
4200
21300
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
301
3020
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
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Kingston HX424C15PB/4 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
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