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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
总分
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
39
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
24
读取速度,GB/s
12.8
15.7
写入速度,GB/s
7.4
9.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1770
2581
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
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