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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
5.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
51
左右 -96% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
26
读取速度,GB/s
9.8
12.0
写入速度,GB/s
8.1
5.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
1925
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB RAM的比较
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
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