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Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
比较
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
总分
Kingston KVR533D2N4 512MB
总分
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR533D2N4 512MB
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需要考虑的原因
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
75
左右 -168% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
1,672.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
4200
左右 4.57 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
28
读取速度,GB/s
1,943.5
16.0
写入速度,GB/s
1,672.1
11.3
内存带宽,mbps
4200
19200
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
301
2436
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
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