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Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
比较
Kingston KVR533D2N4 512MB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
总分
Kingston KVR533D2N4 512MB
总分
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR533D2N4 512MB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
75
左右 -127% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
1,672.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
4200
左右 5.07 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
33
读取速度,GB/s
1,943.5
16.0
写入速度,GB/s
1,672.1
12.1
内存带宽,mbps
4200
21300
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
301
3082
Kingston KVR533D2N4 512MB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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