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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
18.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
50
左右 -79% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.4
1,905.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
28
读取速度,GB/s
5,143.3
18.3
写入速度,GB/s
1,905.1
14.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
3482
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
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G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
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Kingston 9905624-051.A00G 8GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
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