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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
18.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
50
左右 -85% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.1
1,905.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
27
读取速度,GB/s
5,143.3
18.6
写入速度,GB/s
1,905.1
15.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
3561
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB RAM的比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
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