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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
50
左右 -19% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.5
1,905.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
42
读取速度,GB/s
5,143.3
14.5
写入速度,GB/s
1,905.1
13.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
2750
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
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