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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
50
左右 -117% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.7
1,905.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
23
读取速度,GB/s
5,143.3
16.4
写入速度,GB/s
1,905.1
11.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
2605
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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