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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Kingston X2YH1K-MIE 16GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
50
左右 -25% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.8
1,905.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
40
读取速度,GB/s
5,143.3
16.6
写入速度,GB/s
1,905.1
9.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
2875
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB RAM的比较
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
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