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Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
比较
Kingston KVT8FP-HYC 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
总分
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
51
左右 22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
51
读取速度,GB/s
14.4
10.9
写入速度,GB/s
9.6
8.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2432
2286
Kingston KVT8FP-HYC 4GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-011.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
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