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Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
比较
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
总分
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
41
左右 -71% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
24
读取速度,GB/s
11.8
15.3
写入速度,GB/s
7.2
10.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2353
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
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Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
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