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Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB

Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB

总分
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Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB

Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB

总分
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB

差异 规格 评论

差异

Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB 需要考虑的原因
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB 需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    32 left arrow 41
    左右 -28% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    22.6 left arrow 11.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    16.4 left arrow 7.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    41 left arrow 32
  • 读取速度，GB/s
    11.8 left arrow 22.6
  • 写入速度，GB/s
    7.2 left arrow 16.4
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1988 left arrow 3837

Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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内存RAM
OCZ OCZ2SI8002G 2GB
OCZ OCZ2SI8002G 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
内存RAM
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
内存RAM
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
内存RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
内存RAM
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
内存RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
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内存RAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
内存RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
内存RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
内存RAM
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
内存RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
内存RAM
Mushkin 991586 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
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