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Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
比较
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
总分
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
总分
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
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需要考虑的原因
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
41
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
32
读取速度,GB/s
11.8
15.9
写入速度,GB/s
7.2
11.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2831
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB RAM的比较
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Shenzhen Technology Co Ltd 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
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