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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

总分
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

总分
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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB 需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    45 left arrow 54
    左右 17% 更低的延时
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.7 left arrow 12
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.6 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 12800
    左右 2 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    45 left arrow 54
  • 读取速度，GB/s
    12.0 left arrow 15.7
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 11.6
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1939 left arrow 2511

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM的比较

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
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内存RAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
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Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
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内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
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内存RAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
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内存RAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
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内存RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Kingston 9965589-013.A00G 8GB
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内存RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
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内存RAM
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
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内存RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
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