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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
比较
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
总分
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
总分
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 -7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
5.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
27
读取速度,GB/s
9.4
17.0
写入速度,GB/s
5.1
13.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1432
3323
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
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