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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
58
左右 -115% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.0
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
27
读取速度,GB/s
4,241.0
18.7
写入速度,GB/s
1,950.7
15.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3530
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
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Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
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Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
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