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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
比较
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
总分
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
60
71
左右 15% 更低的延时
需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
5.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
71
读取速度,GB/s
6.8
15.5
写入速度,GB/s
5.4
8.3
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1411
1902
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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AMD R748G2400S2S 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
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