Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    60 left arrow 71
    Около 15% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    15.5 left arrow 6.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.3 left arrow 5.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 14900
    Около 1.29 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    60 left arrow 71
  • Скорость чтения, Гб/сек
    6.8 left arrow 15.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    5.4 left arrow 8.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    14900 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1411 left arrow 1902
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения