Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 36
    Около -44% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16.8 left arrow 15
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.8 left arrow 10.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 17000
    Около 1.25 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    36 left arrow 25
  • Скорость чтения, Гб/сек
    15.0 left arrow 16.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    10.3 left arrow 12.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    17000 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Тайминги / частота
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2569 left arrow 2989
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения