Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

Pontuação geral
star star star star star
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Pontuação geral
star star star star star
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    25 left arrow 36
    Por volta de -44% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    16.8 left arrow 15
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.8 left arrow 10.3
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 17000
    Por volta de 1.25 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    36 left arrow 25
  • Velocidade de leitura, GB/s
    15.0 left arrow 16.8
  • Velocidade de escrita, GB/s
    10.3 left arrow 12.8
  • Largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Tempos / Velocidade do relógio
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2569 left arrow 2989
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações