RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Comparar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
36
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
10.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
25
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
12.8
Largura de banda de memória, mbps
17000
21300
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
2989
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link