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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
総合得点
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
総合得点
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
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仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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考慮すべき理由
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
36
周辺 -44% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.8
15
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.8
10.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
17000
周辺 1.25 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
36
25
読み出し速度、GB/s
15.0
16.8
書き込み速度、GB/秒
10.3
12.8
メモリ帯域幅、mbps
17000
21300
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2569
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