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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB

总分
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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

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Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB

差异 规格 评论

差异

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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
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Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 29
    左右 -12% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    20.5 left arrow 9.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    16.2 left arrow 5.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    29 left arrow 26
  • 读取速度，GB/s
    9.4 left arrow 20.5
  • 写入速度，GB/s
    5.1 left arrow 16.2
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1432 left arrow 3687

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB RAM的比较

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