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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
比较
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
总分
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
29
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.2
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
5.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
23
读取速度,GB/s
9.4
21.2
写入速度,GB/s
5.1
17.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1432
4043
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
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