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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
52
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
33
读取速度,GB/s
9.8
16.2
写入速度,GB/s
8.0
13.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
3209
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
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