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Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB

Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB vs Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB

总分
star star star star star
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB

Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB

总分
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Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB

差异 规格 评论

差异

Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB 需要考虑的原因
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    40 left arrow 43
    左右 7% 更低的延时
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB 需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    11.4 left arrow 9.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 5.5
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时，ns
    40 left arrow 43
  • 读取速度，GB/s
    9.7 left arrow 11.4
  • 写入速度，GB/s
    5.5 left arrow 8.0
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1416 left arrow 1879

Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB RAM的比较

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

最新比较

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内存RAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
内存RAM
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
内存RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
内存RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
内存RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
内存RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
内存RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
内存RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
内存RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
INTENSO 5641152 4GB
INTENSO 5641152 4GB
内存RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
内存RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
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内存RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
内存RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
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