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Kllisre KRE-D3U1333M/8G 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
比较
Kllisre KRE-D3U1333M/8G 8GB vs Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
总分
Kllisre KRE-D3U1333M/8G 8GB
总分
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kllisre KRE-D3U1333M/8G 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
41
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
6.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kllisre KRE-D3U1333M/8G 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
25
读取速度,GB/s
11.9
15.0
写入速度,GB/s
6.3
11.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2001
2549
Kllisre KRE-D3U1333M/8G 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
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