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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
74
左右 -236% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
22
读取速度,GB/s
4,178.4
17.3
写入速度,GB/s
2,201.1
13.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2648
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
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