RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
13.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
74
Intorno -236% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
22
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
2648
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link