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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
13.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
74
En -236% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
22
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
2648
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
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