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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
13.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
74
Por volta de -236% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
22
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
13.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
2648
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
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G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB Comparações de RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
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