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Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
比较
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
总分
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
42
左右 5% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
42
读取速度,GB/s
14.4
15.2
写入速度,GB/s
9.0
9.5
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2455
2597
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
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