RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
比较
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
总分
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
总分
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
45
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
45
读取速度,GB/s
14.4
10.0
写入速度,GB/s
9.0
8.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2455
2414
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB RAM的比较
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link