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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
总分
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
总分
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
21.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
59
左右 -127% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
17.2
1,855.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
26
读取速度,GB/s
4,168.0
21.5
写入速度,GB/s
1,855.7
17.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
680
4042
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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INTENSO 5641162 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
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