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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
总分
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
总分
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
59
左右 -31% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.9
1,855.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
45
读取速度,GB/s
4,168.0
15.6
写入速度,GB/s
1,855.7
12.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
680
3297
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
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