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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
63
左右 38% 更低的延时
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
63
读取速度,GB/s
11.7
16.1
写入速度,GB/s
7.2
9.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
1932
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Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
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Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
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