RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
63
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
63
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
1932
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link