RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
63
Autour de 38% latence réduite
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
63
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
1932
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link